RPD-1000 (ITO/AlN)

特征

通過反應(yīng)性等離子源同時(shí)實(shí)現(xiàn)成膜材料的蒸發(fā)及活性化

通過能量鍍制高品質(zhì)的結(jié)晶膜

與常規(guī)蒸鍍相較，實(shí)現(xiàn)低溫、低成本量產(chǎn)

規(guī)格

真空室 Ф1000mm×H 1165mm

基板架 Ф870 mm

基板架轉(zhuǎn)速 10～30rpm

晶振式膜厚計(jì) 6點(diǎn)式水晶傳感器

蒸發(fā)源 反應(yīng)性等離子源

性能

達(dá)到壓力 1.0E-4 Pa 以下

排氣時(shí)間 20分以下（大氣壓～1.3×10-3 Pa以下）

工作條件

設(shè)備尺寸 約4000 mm (W) × 6000 mm (D)×2800 mm (H)

電源 3相＋G,200V±5%, 約75KVA

水流量 80升/分以上

空氣壓力 0.5 MPa - 0.7 MPa

重量 約4000 kg